অতিস্বনক পিইএম ইলেক্ট্রোলাইটিক সেল লেপ
আজকাল, বৈদ্যুতিন কোষগুলির উপাদান এবং উত্পাদন ব্যয় তুলনামূলকভাবে বেশি এবং সাশ্রয়ী মূল্যের উপাদান এবং স্বয়ংক্রিয় উত্পাদন প্রক্রিয়াগুলির অভাবই মূল কারণ। মানকৃত ভর কাস্টমাইজেশনের অভাবও উচ্চ উত্পাদন এবং প্রক্রিয়াজাতকরণ ব্যয়ের দিকে পরিচালিত করে, ইলেক্ট্রোলাইটিক সেল স্ট্যাকগুলির বিশেষত এমডাব্লু/জিডাব্লু স্তরের ইলেক্ট্রোলাইটিক কোষগুলির বৃহত আকারের উত্পাদনকে আরও বাধা দেয়। বর্তমানে, গবেষণাটি মূলত ঝিল্লি ইলেক্ট্রোডগুলির উচ্চ ব্যয়ের উপর দৃষ্টি নিবদ্ধ করে, তবে অন্যান্য মূল উপাদানগুলির উপাদান এবং উত্পাদন ব্যয়, পাশাপাশি স্ট্যাকগুলির জটিল এবং অদক্ষ সমাবেশ প্রক্রিয়া প্রায়শই উপেক্ষা করা হয়। ইলেক্ট্রোলাইটিক কোষগুলি সাধারণত টাইটানিয়াম বা টাইটানিয়াম প্রলিপ্ত স্টেইনলেস স্টিল (পিভিডি প্রক্রিয়া) এবং বাইপোলার প্লেট (বিপিএস) ব্যবহার করে, যার উচ্চ উত্পাদন এবং উপাদান ব্যয় রয়েছে।
অতএব, হাইড্রোজেন উত্পাদনের জন্য ব্যবহৃত ইলেক্ট্রোলাইট ঝিল্লিতে কার্বন ভিত্তিক অনুঘটক কালি স্প্রে করার জন্য অতিস্বনক লেপ সিস্টেমটি অত্যন্ত উপযুক্ত।
পিইএম ইলেক্ট্রোলাইটিক সেল লেপ সিস্টেমটি সম্পূর্ণরূপে স্বয়ংক্রিয়, ডাবল-পার্শ্বযুক্ত আবরণে সক্ষম এবং ঝিল্লির প্রতিটি পাশে বিভিন্ন অনুঘটক সূত্রগুলি প্রয়োগ করতে পারে। লেপের স্থায়িত্ব এবং পুনরাবৃত্তিযোগ্যতা অন্যান্য লেপ পদ্ধতির চেয়ে উচ্চতর হিসাবে প্রমাণিত হয়েছে, যার ফলে পিইএম লেপের পরিষেবা জীবন বাড়ানো হয়েছে।
ফানসোনিক সাধারণত ব্যবহৃত টাইটানিয়াম বা টাইটানিয়াম প্রলিপ্ত স্টেইনলেস স্টিল এবং ইলেক্ট্রোলাইটিক কোষগুলিতে বাইপোলার প্লেটের উচ্চ উত্পাদন এবং উপাদান ব্যয়ের সমস্যা সমাধানের জন্য পিইএম ইলেক্ট্রোলাইটিক সেল প্লেটের অ্যানোড লেপের জন্য একটি উত্পাদন প্রক্রিয়া সরবরাহ করে।
ফানসোনিকের দুর্দান্ত লেপ সম্পত্তি নিয়ন্ত্রণ ক্ষমতা সহ পেশাদার প্রলিপ্ত প্রোটন এক্সচেঞ্জ মেমব্রেন ইলেক্ট্রোলাইসিস সেলগুলির বিস্তৃত পরিসীমা রয়েছে, যা বৈদ্যুতিন বিশ্লেষণ অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য সর্বাধিক অভিন্ন এবং কার্যকর আবরণ তৈরি করতে পারে।
